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本发明提供一种具有结控二极管的沟槽MOSFET器件及其制备方法，属于半导体器件技术领域。该器件由下至上包括依次层叠设置的漏极、衬底、外延层和源极；外延层表面设置有P阱区和源极N+区，P阱区位于源极N+区下方；外延层内还设置有呈多级阶梯状的源...
该专利属于湖北九峰山实验室所有，仅供学习研究参考，未经过湖北九峰山实验室授权不得商用。

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