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本发明公开了一种用于太阳能电池的ＣｕＩｎＳｅ２－ｘＳｘ薄膜的制备方法。该方法是基于电化学共沉积前驱体薄膜、硫化或硒化处理两个步骤。本发明方法所涉及的制备设备简单、反应条件温和，极大地降低了薄膜的制备成本。此外，本发明方法还有一个显著的特征，...
该专利属于上海太阳能电池研究与发展中心所有，仅供学习研究参考，未经过上海太阳能电池研究与发展中心授权不得商用。

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