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自对准晶体管的源漏互连方法、自对准晶体管及器件技术
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文档序号:40930121
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本申请提供一种自对准晶体管的源漏互连方法、自对准晶体管及器件,上述方法包括:在半导体衬底上形成有源结构,有源结构包括第一有源结构和第二有源结构;基于第一有源结构,依次形成第一源漏结构、第一层间介质层和第一源漏金属,第一层间介质层包裹第一有源...
该专利属于北京大学所有,仅供学习研究参考,未经过北京大学授权不得商用。
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