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一种Ｗ－Ｓ－Ｃ复合膜的制备方法。其特征是采用气体离子源辅助沉积，采用直流磁控溅射沉积金属过渡层，采用中频磁控溅射ＷＳ２靶沉积ＷＳ２和磁控溅射石墨靶形成ＤＬＣ获得Ｗ－Ｓ－Ｃ复合膜。本发明的方法可以获得较高的沉积速率，并且清洁环保，对人体安全无...
该专利属于广州有色金属研究院所有，仅供学习研究参考，未经过广州有色金属研究院授权不得商用。

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