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一种双栅HEMT器件，包括：由下至上依次层叠设置的衬底、缓冲层、沟道层和第一势垒层；依次间隔设置在所述第一势垒层上的源极结构、第一栅极结构、第二栅极结构和漏极结构；所述第一栅极结构与所述源极结构电连接。通过在第二栅极结构与源极结构之间设置一...
该专利属于深圳天狼芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳天狼芯半导体有限公司授权不得商用。

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