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本申请涉及一种受饱和晶粒尺寸控制的合金晶粒生长预测方法,该方法包括：获取与待预测件成分和组织类似的试样件进行恒温晶粒长大实验，获得实验后的晶粒尺寸数据；根据所述实验中每个温度下预设保温时间的晶粒尺寸数据拟合得到饱和晶粒尺寸方程的待定参数；采...
该专利属于深圳市万泽中南研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市万泽中南研究院有限公司授权不得商用。

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