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一种增强型垂直HEMT器件，其包括由下至上依次层叠设置的漏极结构、衬底层、缓冲层、沟道层和势垒层；间隔设置在势垒层上的栅极结构和源极结构；形成于缓冲层顶部的电流阻挡层，以及形成于电流阻挡层顶部的插入层，插入层的上表面与沟道层的下表面接触，插...
该专利属于深圳天狼芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳天狼芯半导体有限公司授权不得商用。

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