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本发明公开了一种SiC MOSFET及其制作方法，属于半导体技术领域。本发明的SiC MOSFET，栅极氧化层I、深N+源极区域、P+区域和ILD氧化层II组合形成一个沟槽，它不仅不影响阻断状态的器件安全性，同时相当于正向电流能力翻了一倍；...
该专利属于江苏中科汉韵半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏中科汉韵半导体有限公司授权不得商用。

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