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本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种槽栅双极型晶体管。本发明主要有两点：一是采用耗尽栅对P‑通道进行电导调控，配合N‑存储层在漂移区增强电导调制效应；二是栅极与耗尽栅之间通过可变电阻串联，调节P‑通道耗尽程度，起到对器件在短路工作时的...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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