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本申请实施例提供一种芯片及其制备方法、电子设备。解决了TSV刻蚀时掩膜结构发生侧掏导致通孔内形成的金属柱电性差的技术问题。该芯片包括：衬底、叠层结构、掩膜结构、第一介质层、绝缘层以及导电层；叠层结构、掩膜结构依次堆叠在叠层结构上；芯片包括贯...
该专利属于华为技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华为技术有限公司授权不得商用。

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