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本申请提供一种绝缘体上锗晶圆及其制造方法，一种阵列芯片及其制造方法，方法包括：在第一硅衬底上形成第1个目标层，刻蚀第1个目标层形成多个凹槽，形成第1个锗层，第1个锗层填充凹槽以及覆盖第1个目标层，通过第1个锗层的横向过生长，将硅/锗之间的异...
该专利属于广州诺尔光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广州诺尔光电科技有限公司授权不得商用。

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