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本发明涉及半导体器件技术领域，提供了一种GaN HEMT器件结构及其制备方法，所述GaN HEMT器件结构包括：衬底；位于所述衬底表面的第一缓冲层；位于所述第一缓冲层表面的栅极结构；覆盖所述栅极结构和第一缓冲层表面的第二缓冲层，其中，所述第...
该专利属于合肥仙湖半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥仙湖半导体科技有限公司授权不得商用。

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