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本发明提供一种半导体器件及其形成方法，半导体器件的形成方法包括：在半导体衬底上形成有功函数调节层、保护层、伪栅极层、氮化硅层、氧化硅层；依次刻蚀氧化硅层、氮化硅层、伪栅极层、保护层和功函数调节层；填充层间介质层；平坦化层间介质层直至暴露出伪...
该专利属于合肥晶合集成电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥晶合集成电路股份有限公司授权不得商用。

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