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本发明提供了一种外延生长方法及装置，属于半导体制造技术领域。外延生长方法，包括：将晶圆送入外延反应腔室，在所述晶圆上生长外延层；获取所述外延层的电阻率信息，所述外延层划分为多个区域，所述电阻率信息包括所述外延层各个区域的电阻率；判断所述电阻...
该专利属于西安奕斯伟材料科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安奕斯伟材料科技股份有限公司授权不得商用。

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