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本发明公开了一种基于二维器件组成的超薄短通道隧穿晶闸管结构，属于金属‑半导体技术领域。包括：衬底层结构、半导体模块、绝缘介质层模块、电极模块以及顶层结构；半导体模块位于衬底层结构的上方，且中间有间隙；绝缘介质层模块位于半导体结构的上方的一端...
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