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本发明涉及半导体器件封装技术领域，公开了一种降低金锡焊料烧结元器件空洞率的烧结工艺，步骤包括：取器件管壳、金锡焊料片和待用芯片，制备烧结结构；将烧结结构置于真空回流炉的腔体内，腔体内温度由室温升到T0，升温过程中并抽真空；腔体内温度达到T0...
该专利属于哈尔滨工业大学重庆研究院所有，仅供学习研究参考，未经过哈尔滨工业大学重庆研究院授权不得商用。

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