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本发明提出一种空气环境制备高性能的碘化亚铜沟道P型薄膜晶体管器件的制备方法。本发明方法制备的器件自下而上包括衬底、ITO(氧化铟锡)栅电极、壳聚糖栅极氧化层、碘化亚铜沟道层、金属源漏电极。本发明通过采用有机物壳聚糖为薄膜晶体管的栅极氧化层实...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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