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本发明公开了一种基于无掩模二次外延的micro‑LED芯片阵列的制备方法。本发明通过对GaN模板进行干法刻蚀，形成应力弛豫图形化GaN模板，再在应力弛豫图形化GaN模板基础上选区二次外延多量子阱等结构，有效避免对多量子阱区域进行干法刻蚀，从...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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