温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：形成基底，所述基底包括：衬底；栅极结构；源漏区；第一介质层；刻蚀所述栅极结构，在第一介质层内形成掩膜凹槽；在所述掩膜凹槽内形成盖层，所述盖层顶部与所述第一介质层齐平；以所述盖层为掩膜刻蚀所述第一介质...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。