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本发明公开了集成高K介质三沟槽型碳化硅纵向功率器件及制备方法，包括半导体漏区、半导体漂移区、以及由高K介质深槽区、栅极沟槽区和源极沟槽区形成的三沟槽结构；栅极沟槽区位于高K介质深槽区内部；源极沟槽区包含P型屏蔽区和P型重掺杂块；高K介质深槽...
该专利属于南京邮电大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京邮电大学授权不得商用。

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