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本发明公开一种铟锌氧化物晶体管的工艺制作方法，属于微纳电子器件领域。本发明可应用于纳米尺寸的氧化物晶体管，通过磁控溅射工艺连续溅射保护层和源/漏电极，所述保护层对有源层与源/漏电极的接触面进行连接，阻挡了源/漏电极材料向有源层的扩散现象，同...
该专利属于北京超弦存储器研究院所有，仅供学习研究参考，未经过北京超弦存储器研究院授权不得商用。

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