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本申请实施例公开了一种半导体结构及其制作方法，该半导体结构包括：第一衬底；位于第一衬底第一表面的埋氧层；位于埋氧层远离第一衬底一侧的第一半导体结构，第一半导体结构包括层叠的第一硅层、第一硅锗层和第二硅锗层，其中，第二硅锗层位于第一硅锗层和埋...
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