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本发明公开了一种硅单晶微缺陷的检测系统及方法，本发明涉及直拉硅单晶检测技术领域。该硅单晶微缺陷的检测系统及方法，包括以下步骤：S1、准备检测所需样品；S2、对所述样品进行热氧化处理；S3、将热氧化后的所述样品进行SEM扫描和OM扫描，并切换...
该专利属于杭州中欣晶圆半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州中欣晶圆半导体股份有限公司授权不得商用。

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