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本发明公开一种铁电薄膜制备方法、铁电薄膜及包含其的铁电器件。该铁电薄膜制备方法，以TEMAH为铪前驱体，以La‑FMD为镧前驱体，以氧等离子体或水源为氧源，通过原子层沉积技术生长HfLaO薄膜；通过HfO<subgt;2</su...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

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