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本披露公开了一种用于承载外延片的复合式载盘及C/C‑SiC复合材料的制备方法。所述用于承载外延片的复合式载盘包括石墨底座、外遮挡环和内遮挡环。所述石墨底座包括设置于石墨底座顶部的第一环形凸起；所述外遮挡环环形套设于所述石墨底座上的所述第一环...
该专利属于湖南三安半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖南三安半导体有限责任公司授权不得商用。

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