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钇氢北京科技有限公司
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一种表面氧掺杂SiC颗粒的制备方法技术
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文档序号:40758854
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本发明公开了一种表面氧掺杂SiC颗粒的制备方法,包括以下步骤:利用离心力将不同重量和体积的SiC颗粒进行筛选;将筛分后的SiC颗粒在一定温度下进行预热温度处理;用氢氟酸HF浸泡刻蚀预热后的SiC颗粒;SiC颗粒加热回流;回流后的SiC颗粒在...
该专利属于钇氢(北京)科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过钇氢(北京)科技有限公司授权不得商用。
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