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本发明公开了一种碳化硅晶棒多型缺陷的快速无损检测方法，运用瓦级功率连续激光照射碳化硅晶棒表面靠近边缘的位置，在碳化硅晶棒侧面一定深度位置采用高灵敏光电探测器探测照射激光束穿过碳化硅晶棒的光强，绕中心轴旋转碳化硅晶棒，测量碳化硅晶棒不同旋转角...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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