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本发明属于金属氧化物材料表面处理技术领域，特别涉及一种控制高电阻率金属氧化物材料表面半导化速度及程度的方法。其特征在于通过在原子氢致半导化过程中添加一种添加剂对半导化速度及程度进行控制，即在对金属氧化物材料表面进行原子氢处理的过程中，向电解...
该专利属于北京科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京科技大学授权不得商用。

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