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本发明涉及微电子封装互连技术领域，具体为一种晶圆上单晶铜薄膜的制备方法。首先在硅晶圆上磁控溅射100nmTi层作为阻挡层，溅射400nmCu层作为种子层，通过调控电流密度、电镀时间及电镀液成分等电镀条件，在硅晶圆上电镀制备出特定结构铜层；然...
该专利属于中国科学院金属研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院金属研究所授权不得商用。

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