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本发明涉及一种快速补充金属离子的半导体晶圆电化学沉积设备，包括旋转圆盘电极和固定在底板上的阳极区域、阴极区域；阳极区域包阳极腔，带孔侧壁以及离子膜，阴极区域包括内腔，内腔和阳极腔之间设置的阴极补液口，内腔内有均流板，内腔外有外腔，外腔和内腔...
该专利属于苏州智程半导体科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州智程半导体科技股份有限公司授权不得商用。

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