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一种超结碳化硅晶体管的结构、制造方法及电子设备，属于半导体技术领域，包括左右对称的两个子场效应管结构，对称的切面为矢状面，子场效应管结构包括衬底、漂移层、第一阱、第一有源层、栅极结构、源极沟槽、半导体柱、第一有源区至第三有源区；衬底、漂移层...
该专利属于深圳天狼芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳天狼芯半导体有限公司授权不得商用。

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