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本发明公开一种六边低体二极管压降的屏蔽型埋沟井槽SiC VDMOSFET结构，包括六边形MOS元胞，在六边形MOS元胞引入埋沟井槽，将元胞从长条形改设计成六边形，减小器件中源区面积占比，同时在源区刻蚀埋沟U槽，将欧姆接触及栅源隔离从横向改为...
该专利属于北京清芯微储能科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京清芯微储能科技有限公司授权不得商用。

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