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本技术提供了一种多磁极被动剪切磁流变阻尼器，包括：阻尼器本体；形成于所述阻尼器本体的容纳槽，所述容纳槽内填充有磁流变液；设置于所述阻尼器本体的多级永磁体，与容纳槽内磁流变液之间形成磁通路以磁化磁流变液，所述多级永磁体所形成的磁场的场强沿第一...
该专利属于西华大学所有，仅供学习研究参考，未经过西华大学授权不得商用。

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