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栅氧反熔丝存储单元及制备方法，涉及集成电路技术，特别涉及反熔丝存储器技术。本发明的栅氧反熔丝存储单元，包括有源区、栅极氧化层和栅极板，其特征在于，在栅极板与有源区的重叠范围内，栅极板具有尖端结构。本发明的存储单元通路电阻产生的位置可确定，结...
该专利属于成都蜀郡微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都蜀郡微电子有限公司授权不得商用。

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