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本发明属于集成电路加工工艺技术领域，尤其涉及一种阈值电压调整方法、湿法刻蚀方法及金属氧化物器件；于共存有中压第二阈值区（120）MV和/或高压第三阈值区（130）HV的目标器件（010），以湿法刻蚀WE（WET ETCH）对低压区LVA（L...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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