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本发明公开了一种提升光提取效率的Micro‑LED器件结构及制作方法，其结构的外延层由背面至正面按序包括n‑GaN层、MQW和p‑GaN层，并通过由正面蚀刻至n‑GaN层形成发光台面，第一电流扩展层设于发光台面的p‑GaN层上，p电极和n电...
该专利属于厦门大学所有，仅供学习研究参考，未经过厦门大学授权不得商用。

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