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本发明公开了一种利用标准ＣＭＯＳ工艺的ＭＩＭ电容结构制备非挥发性存储器的方法，属于超大规模集成电路技术领域。本发明首先基于标准ＣＭＯＳ工艺制备ＭＩＭ电容结构，然后对ＭＩＭ电容的介质层进行掺杂形成阻变材料层，从而制备得ＭＩＭ结构的阻变存储器。...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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