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本发明提供一种发光二极管外延片及制备方法，所述发光二极管外延片包括衬底及依次沉积在所述衬底上的第一半导体层、有源层及第二半导体层，所述有源层包括多个交替层叠的复合量子阱层和量子垒层，所述复合量子阱层包括依次沉积在所述第一半导体层上的极化调控...
该专利属于江西兆驰半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西兆驰半导体有限公司授权不得商用。

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