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本发明涉及自旋轨道矩磁阻式随机存储器领域，特别是公开了一种SOT‑MRAM存储单元及其读取、写入方法，包括MTJ组件、设置于所述MTJ组件的底端的自旋轨道效应层及沿位线方向依次设置的第一写入晶体管、第二写入晶体管及读取晶体管；所述读取晶体管...
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