温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请公开了一种SOT‑MRAM单元和存储器，涉及磁随机存储领域，包括：自旋轨道矩提供线；设于自旋轨道矩提供线上的至少两个间隔的磁隧道结，其中，磁隧道结包括至少两层介质层和层叠的自由层、参考层、钉扎层，其中一层介质层设于自由层和参考层之间。...
该专利属于浙江驰拓科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江驰拓科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。