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本发明提供一种模拟开关，所述模拟开关的第一PMOS管的源极和衬底、第二PMOS管的衬底和第三PMOS管的漏极均连接在第一节点处，第一NMOS管的源极和衬底、第二NMOS管的衬底和第三NMOS管的漏极均连接在第二节点处，第一PMOS管的漏极、...
该专利属于杰平方半导体（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杰平方半导体（上海）有限公司授权不得商用。

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