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本发明涉及一种单晶炉，包括炉体和位于炉体内的坩埚组件，所述坩埚组件的上方设置有导流筒，所述导流筒的内部设置有晶棒提升区域，所述晶棒提升区域和所述导流筒之间设置有水冷套，所述水冷套呈筒状结构，所述水冷套包括外表面和内表面，在所述水冷套的径向方...
该专利属于西安奕斯伟材料科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安奕斯伟材料科技股份有限公司授权不得商用。

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