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本申请公开了一种肖特基二极管及其制备方法，肖特基二极管包括重掺杂衬底、轻掺杂外延层、二氧化硅层、二氧化硅膜、肖特基势垒金属层、第一金属层和第二金属层；轻掺杂外延层设置在重掺杂衬底上，二氧化硅层设置在轻掺杂外延层上，且二氧化硅层上开设有第一窗...
该专利属于青岛惠科微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过青岛惠科微电子有限公司授权不得商用。

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