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本申请涉及电子封装领域，具体而言，涉及一种金属绝缘基板及其制备方法、SiC功率模块封装体。包括：第一金属层、绝缘导热层和第二金属层；绝缘导热层形成于金属层；第二金属层热压连接于绝缘导热层；绝缘导热层为覆银氮化硼纳米材料聚合物复合材料，覆银氮...
该专利属于松山湖材料实验室所有，仅供学习研究参考，未经过松山湖材料实验室授权不得商用。

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