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本发明公开了一种半导体氧化硅深孔的蚀刻清洗剂，包括以下组分：0.5％～5％的氟化氢、6％～20％的氟化铵、30％～60％的与水互溶的极性有机溶剂、5％～20％的铝离子络合剂、0.3％～10％的铝保护剂、10％～35％的水以及10～10000...
该专利属于江阴江化微电子材料股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江阴江化微电子材料股份有限公司授权不得商用。

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