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本发明提供了一种半导体结构及其制作方法，半导体结构包括：基底、第一类型掩膜层、第二类型掩膜层以及外延层；第一类型掩膜层具有第一类型窗口；第一类型掩膜层包括第一掩膜叠层，第一掩膜叠层包括靠近基底的第一掩膜层与远离基底的第二掩膜层，第一掩膜层具...
该专利属于苏州晶湛半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州晶湛半导体有限公司授权不得商用。

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