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本发明公开了一种基于第一性原理的薄膜临界厚度确定方法，包括：构建待生长的外延层多元化合物材料模型并进行结构优化，获得外延层多元化合物材料的晶格常数；根据外延层多元化合物材料的晶格常数获得外延层多元化合物材料与衬底材料的晶格失配度；利用结构优...
该专利属于西安电子科技大学芜湖研究院所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学芜湖研究院授权不得商用。

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