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本发明提供一种单晶棒结晶界面形貌的分析方法、高质量单晶棒及其应用，所述分析方法包括以下步骤：(1)在单晶硅棒的头部取一晶圆，然后沿着所述晶圆直径的方向取一硅片；(2)将所述硅片沿着长度的方向分成多个等份，检测每一等份的电阻率，得到所述晶圆的...
该专利属于上海超硅半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海超硅半导体股份有限公司授权不得商用。

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