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深圳天狼芯半导体有限公司
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碳化硅MOSFET及其制备方法、芯片技术
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文档序号:40597510
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本申请属于功率器件技术领域,提供了一种碳化硅MOSFET及其制备方法、芯片,其中,碳化硅衬底的正面形成N型漂移区,N型漂移区上形成有第一P型屏蔽区和第二P型屏蔽区,第一肖特基金属层和第二肖特基金属层分别形成于第一P型屏蔽区和第二P型屏蔽区上...
该专利属于深圳天狼芯半导体有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过深圳天狼芯半导体有限公司授权不得商用。
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