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本发明属于半导体集成电路制造技术领域，公开了一种基于双频莫尔条纹的光刻对准方法，包括步骤：在硅片上制作两个频率不同的测量光栅，硅片上每个测量光栅的一侧设有透明区域；在掩膜上制作两个相同的测量光栅，掩膜上每个测量光栅的一侧设有参考光栅；将硅片...
该专利属于西南交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过西南交通大学授权不得商用。

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